Vertikalna SON MOS struktura (CROSBI ID 341423)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Bilić, Marko
Biljanović, Petar
Suligoj, Tomislav
hrvatski
Vertikalna SON MOS struktura
Analizirati djelomično i potpuno osiromašenu SOI MOS strukturu. Analizirati efekte kratkog kanala kod obje strukture. Objasniti koncept SON MOS i usporediti ga sa SOI strukturom. Pomoću simulatora MEDICI, simulirati i potom analizirati karakteristike vertikalnog SONFET-a i srodnih struktura. Usporediti karakteristike tranzistora u ovisnosti o tehnološkim parametrima. Analizirati primjenu Al2O3 kao zamjenskog dielektrika ispod upravljačke elektrode. Objasniti utjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike.
vertikalni MOSFET; silicij ni na čemu; efekti kratkog kanala
nije evidentirano
engleski
Vertical SON MOS structure
nije evidentirano
vertical MOSFET; silicon on nothing; short channel effects
nije evidentirano
Podaci o izdanju
74
21.04.2005.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb