Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem (CROSBI ID 506532)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | domaća recenzija
Podaci o odgovornosti
Kovačević, Ivana ; Pivac, Branko
hrvatski
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
Unatoč činjenici da defekti uvedeni zračenjem spadaju u red najzastupljenijih električki aktivnih defekata u siliciju, a njihov utjecaj od presudne je važnosti za rad elektroničkih komponenti, utjecaj temperature tijekom zračenja na uvođenje defekata još uvijek je nerazjašnjen problem. U ovom radu proučavani su električki aktivni defekti u n-tipu silicija dobivenog metodom Czohralskog uvedeni gama zračenjem (doza 50Mrad) pri različitim temperaturama zračenja (50 °C, 100 °C, 150 °C i 350 °C). Ovo je ujedno i prvi put da se temperatura u izvoru gama zračenja na Institutu Ruđer Bošković kontrolira što je zahtjevalo konstrukciju posebnog instrumenta. Uočeno je da uvođenje i termička stabilnost defekata ovise o temperaturi zračenja. Dominantan defekt je VO centar, prisutan u siliciju nakon zračenja i na niskim i na visokim temperaturama.
silicij; točkasti defekti; zračenje; DLTS
nije evidentirano
engleski
Temperature dependence of defect generation in silicon upon gamma irradiation
nije evidentirano
silicon; point defects; irradiation; DLTS
nije evidentirano
Podaci o prilogu
28-28-x.
2005.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika : zbornik sažetaka
Radić, Nikola
Zagreb:
Podaci o skupu
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
poster
18.05.2005-18.05.2005
Trakošćan, Hrvatska