hrvatski

Određivanje stupnja uređenja u tankim filmovima silicija

Mogućnost formiranja tankog filma silicija sa visokim stupnjem uređenja na temperaturama manjim od temperature taljenja stakla pobuđuje u posljednjoj dekada sve veći interes. Tehnološka pozadina ovog interesa je mogućnost proizvodnje efikasnih optoelektroničkih naprava kao što su tankoslojne solarne ćelije, ravni ekrani i dr. Znanstveni interes je usmjeren prema istraživanju ovisnosti svojstava materijala o strukturnom uređenju koje se opet povezuje sa kinetikom rasta sloja. Tanki filmovi silicija, debljina od 100 – 1000 nm, deponirani su magnetronskim rasprašenjem u atmosferi argona i vodika i plazmom pojačanom kemijskom depozicijom iz plinske faze (PECVD). Variranjem parametara depozicije formirani su slojevi različitog stupnja uređenja koje je određivano korištenjem triju metoda – Ramanovom spektroskopijom, analizom spektralne ovisnosti dielektrične konstante uz korištenje aproksimacije efektivnog medija i difrakcijom x-zraka. Na karakterističnim primjerima filmova, kojima struktura varira od vrlo neuređene amorfne do nanokristalinične, ilustrirati će se prednosti i mane pojedinih metoda te diskutirati njihova međusobna kompatibilnost. Posebna pažnja će se posvetiti mogućnosti određivanja stupnja kristaliničnosti materijala.

tanki filmovi silicija; nano-kristali; Ramanova spektroskopija. TEM

nije evidentirano