hrvatski

Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem

Unatoč činjenici da defekti uvedeni zračenjem spadaju u red najzastupljenijih električki aktivnih defekata u siliciju, a njihov utjecaj od presudne je važnosti za rad elektroničkih komponenti, utjecaj temperature tijekom zračenja na uvođenje defekata još uvijek je nerazjašnjen problem. U ovom radu proučavani su električki aktivni defekti u n-tipu silicija dobivenog metodom Czohralskog uvedeni gama zračenjem (doza 50Mrad) pri različitim temperaturama zračenja (77K, 50 °C, 100 °C, 150 °C i 350 °C). Ovo je ujedno i prvi put da se temperatura u izvoru gama zračenja na Institutu Ruđer Bošković kontrolira što je zahtjevalo konstrukciju posebnog instrumenta. Uočeno je da uvođenje i termička stabilnost defekata ovise o temperaturi zračenja. Dominantan defekt je VO centar, prisutan u siliciju nakon zračenja i na niskim i na visokim temperaturama.

silicij; točkasti defekti; zračenje; DLTS

nije evidentirano