Razvoj i primjena mikro-IBIC metode za istraživanje elektroničkih svojstava poluvodičkih detektora (CROSBI ID 338662)
Ocjenski rad | magistarski rad (mr. sc. i mr. art.)
Podaci o odgovornosti
Pastuović, Željko
Jakšić, Milko
hrvatski
Razvoj i primjena mikro-IBIC metode za istraživanje elektroničkih svojstava poluvodičkih detektora
Metode IBIC i TRIBIC korištene su za određivanje spektroskopskih karakteristika poluvodičkih detektora ionizirajućeg zračenja i izračunavanje parametara koji utječu na transport naboja kroz poluvodič kao što su mobilnost, vrijeme života, difuzijska i driftna duljina nosioca naboja. U slučajevima IBIC mjerenja na diodama izračunata je i širina područja osiromašenja za dani reverzni napon. Ovisno o poluvodičkoj strukturi ili geometriji uzorka, vršena su IBIC odnosno TRIBIC mjerenja u frontalnoj ili lateralnoj geometriji. Upotrebom različitih vrsta i energija iona, koji imaju različitu zaustavnu moć u materijalu, pa time i doseg, pokazana je mogućnost proučavanja različitih transportnih mehanizama nosioca naboja u elektronički različitim dijelovima poluvodičkog elementa. Analizom mjerenih TRIBIC signala (tranzijenata) dobivene su informacije o ukupnom vremenu kolekcije naboja koje u uvjetima niske temperature i slabih električnih polja u području osiromašenja rada poluvodičkog elementa može biti znatno dulje od vremenske konstante uobičajenog spektroskopskog pojačala koje se koristi za detekciju zračenja. Mogućnosti primjene IBIC i TRIBIC metode i bogatstvo informacija koje možemo izračunati iz eksperimentalnih podataka prikazane su u ovom radu na primjerima: a) silicijskih detektorskih p+-n i p-i-n dioda ; b) silicijskoj diodi velike snage ; c) kadmij-telurid i silicij-karbid binarnim i d) kadmij-zink-telurid poluvodičkim detektorima ionizirajućeg zračenja. Sve dobivene informacije mogu biti iskorištene za bolje razumijevanje, optimizaciju i daljnji razvoj poluvodičkih elemenata.
ion; mikroproba; IBIC; efikasnost kolekcije naboja; CdZnTe; SiC; silicij; poluvodički detektor; dioda; mobilnost naboja; vrijeme života elektrona/šupljina; elektronsko kočenje; ionizirajuće zračenje
nije evidentirano
engleski
Development and application of micro-IBIC technique in the studies of semiconductor detectors electronic properties
nije evidentirano
ion; microprobe; IBIC; charge collection efficiency; CdZnTe; SiC; silicon; semiconductor detector; diode; electron (hole) mobility; electron (hole) lifetime; electronic stopping; ionising radiation
nije evidentirano
Podaci o izdanju
106
18.06.2004.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
Zagreb