hrvatski

Napredni CMOS elementi

Skaliranje CMOS elemenata ušlo je u nanometarsko područje gdje se susreće s nizom fundamentalnih ograničenja. Analizirat ćemo ograničenja litografije, ograničenja napona napajanja i napona praga, ograničenja oksida upravljačke elektrode, efekte kratkog kanala, efekte na visokom elekričnom polju, efekte zbog slučajne raspodjele primjesa i prospojna kašnjenja. Dati ćemo pregled inovativnih struktura koje donose niz svojstvenih poboljšanja. Govorit ćemo o niskotemperaturnom CMOS-u, SiGe MOSFET-u, silicij na izolatoru MOSFET-u, MOSFET-u s dvostrukom upravljačkom elektrodom, FinFET-u, vertikalnom MOSFET-u i silicij na ničemu MOSFET-u. Na kraju ćemo dati analizu rezultata simulacije vertikalnog potpuno osiromašenog silicij na ničemu MOSFET-a. Obrađivane strukture daju nam vjeru u nastavak vladavine CMOS tehnologije u proizvodnji visoko učinkovitih CMOS elemenata.

skaliranje; efekti kratkog kanala; CMOS; FinFET

nije evidentirano