hrvatski

Proučavanje poluvodičkih materijala snopovima iona

Snop visokoenergijskih iona (nekoliko MeV-a) vrlo je pogodan za proučavanje svojstava poluvodičkih materijala. Energija koju ion gubi ionizacijom prolazeći kroz materijal dovoljna je za produkciju velikog broja parova elektrona i šupljina što čini osnovu IBIC metode (Ion Beam Induced Charge). Električni signal koji tom prilikom nastaje na priključenim elektrodama elektronički se pojačava, oblikuje, digitalizira i prikuplja na računalu. Nuklearna mikroproba uredjaj je kojim se ionski snop može fokusirati na vrlo male dimenzije (1&micro ; ; m) i skenirati preko površine uzorka. Dobivene 2D mape efikasnosti prikupljanja naboja prikaz su kvalitete proučavanog poluvodičkog materijala. Mijenjanjem energije i vrste upadnih iona mijenja se i dubina do koje oni prodiru u materijal što omogućuje uvid u svojstva materijala i duboko ispod površine. Novijom TRIBIC metodom (Time Resolved Ion Beam Induced Charge) analizira se vremenska evolucija električnog pulsa koji nastane udarom iona u materijal. Iz oblika tog pulsa zaključuje se o transportnim procesima koje odredjuju defekti prisutni u materijalu.

poluvodički materijali; ionski snopovi; IBIC; transport naboja

nije evidentirano