hrvatski

Projektiranje i analiza linearnosti radiofrekvencijskih pojačala snage sa SiGe bipolarnim tranzistorima

U ovome radu, projektirana su radiofrekvencijska pojačala snage klase AB za radnu frekvenciju iznosa 1 GHz korištenjem visokolinearnih bipolarnih NPN tranzistora tvrtke Infineon izvedenih u silicij-germanijskoj i silicijskoj tehnologiji. Izrađena pojačala snage klase AB projektirana su za maksimum korisnosti dodane snage u točki 1 dB kompresije izlaznog signala. Korišteni su modeli komercijalno dostupnih komponenata. Prilagodne mreže izvedene su diskretnim komponentama. Simulacijskim programom Advanced Design System projektirano je osam verzija pojačala snage s obzirom na izvedbu mreža napajanja. Računalnim programom KiCAD dizajnirane su tiskane pločice. Provedena su mjerenja pojačala snage izrađenih na tiskanim pločicama. Napravljena je usporedba između navedenih verzija pojačala snage, u pogledu parametara poput iznosa točke 1 dB kompresije izlaznog signala, pojačanja, korisnosti dodane snage i stabilnosti.

pojačalo snage ; klasa AB ; linearnost ; točka 1 dB kompresije izlaznog signala ; korisnost dodane snage ; prilagodne mreže ; realne komponente ; bipolarni tranzistori

nije evidentirano