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Pregled bibliografske jedinice broj: 110859

Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques


Mattana, Richard; George, Jean-Marie; Jaffres, Henry; N Guyen Van Dau, Frederic; Fert, Albert; Lepine, B.; Guivarch, A.; Jezequel, G.; Hamzić, Amir; Basletić, Mario; Tafra, Emil
Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques // Colloque Louis Neel 2002 - Couches Minces et Nanostructures Magnétiques
Gérardmer, Francuska, 2002. (plenarno, nije recenziran, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)


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Naslov
Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques
(Tunnel magnetoresistance in simple and double ferromagnetic semiconductor tunnel junctions)

Autori
Mattana, Richard ; George, Jean-Marie ; Jaffres, Henry ; N Guyen Van Dau, Frederic ; Fert, Albert ; Lepine, B. ; Guivarch, A. ; Jezequel, G. ; Hamzić, Amir ; Basletić, Mario ; Tafra, Emil

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni

Izvornik
Colloque Louis Neel 2002 - Couches Minces et Nanostructures Magnétiques / - , 2002

Skup
Colloque Louis Neel 2002 - Couches Minces et Nanostructures Magnétiques

Mjesto i datum
Gérardmer, Francuska, 24-26.09.2002

Vrsta sudjelovanja
Plenarno

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
électronique de spin; semiconducteurs ferromagnétiques; puits quantique
(semiconductor spintronics; magnetic semiconductors; quantum well)

Sažetak
Un des défis de l'électronique de spin est l'injection et la détection d'électrons polarisés en spin dans des structures semiconductrices. Les jonctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnétiques peuvent etre utilisées comme test d'injection de spins puisque la magnétorésistance tunnel est la signature d'une transmission de porteurs polarisés en spin entre deux electrodes. Nous avons élaboré par épitaxie par jets moléculaires a basse temperature des simples et doubles jonctions tunnel magnétiques (JTMs). Les deux électrodes de GaMnAs (semiconducteur ferromagnétique) sont séparées par une fine barriere tunnel d'AlAs (1.7nm) (simple JTMs) ou par un puits quantique AlAs(1.7nm)/GaAs(5nm)/AlAs(1.7nm) (double JTMs). A T = 4 K la magnétorésistance tunnel (TMR) pour des JTMs a bas champ est 38%, correspondant a la transition de la configuration parall&egrave ; ; le a antiparallele de l'aimantation rémanente. L'observation du meme taux de TMR dans le cas de la double JTM est un effet du a la nature semiconductrice de l'électrode centrale (faible densité d'état au niveau de Fermi). Contrairement au cas des structures métalliques, la dépendance en tension de la TMR est la meme pour les deux JTMs. Ces effets liés a la nature semiconductrice de l'électrode centrale seront discutés.

Izvorni jezik
Fra

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA


Projekti:
0119251

Ustanove:
Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb

Profili:

Avatar Url Emil Tafra (autor)

Avatar Url Amir Hamzić (autor)

Avatar Url Mario Basletić (autor)


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Mattana, Richard; George, Jean-Marie; Jaffres, Henry; N Guyen Van Dau, Frederic; Fert, Albert; Lepine, B.; Guivarch, A.; Jezequel, G.; Hamzić, Amir; Basletić, Mario; Tafra, Emil
Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques // Colloque Louis Neel 2002 - Couches Minces et Nanostructures Magnétiques
Gérardmer, Francuska, 2002. (plenarno, nije recenziran, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
Mattana, R., George, J., Jaffres, H., N Guyen Van Dau, F., Fert, A., Lepine, B., Guivarch, A., Jezequel, G., Hamzić, A., Basletić, M. & Tafra, E. (2002) Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques. U: Colloque Louis Neel 2002 - Couches Minces et Nanostructures Magnétiques.
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