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Déplacement de paroi par injection d un fort courant continu: contrôle de la configuration magnétique d une vanne de spin

Nous présenterons des expériences de déplacement de paroi par injection d un fort courant dc effectuées sur des barreaux de CoO/Co/Cu/NiFe. Ces barreaux, de largeur 1 micron et de longueur 20 microns, ont été réalisés par lithographie électronique. Une constriction a été réalisée a 1/3 de la longueur totale du barreau. Elle agit comme centre de piégeage pour paroi magnétique, comme le prouvent les plateaux de la courbe de magnetoresistance géante (GMR) situés a un état intermédiaire (1/3 or 2/3) entre les résistances des configurations parallele (P) et antiparallele (AP). L effet de GMR présent dans de tels échantillons est utilisé pour détecter la configuration magnétique. Nous montrons par des mesures de transport électrique que, une fois piégée dans la constriction, la paroi peut etre déplacée par injection d un courant dc supérieur a un courant critique de l ordre de 10^7A/cm^2 . Nous discuterons des différentes origines possibles de l effet, i.e. le champ magnétique local créé par le courant et/ou le transfert de spin a partir d un courant polarisé en spin. Nous montrerons qu il est envisageable d utiliser cet effet pour contrôler la configuration magnétique d une vanne de spin a l échelle de temps de la nanoseconde.

electronique de spin; déplacement de paroi; vanne de spin

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