Utjecaj Sn i In na kinetiku rasta oksidnih filmova na aluminiju (CROSBI ID 437651)
Ocjenski rad | sveučilišni preddiplomski završni rad
Podaci o odgovornosti
Tomelić, Milijana
Gudić, Senka
hrvatski
Utjecaj Sn i In na kinetiku rasta oksidnih filmova na aluminiju
Primjenom cikličke polarizacije i galvanostatske pulnse metode ispitani su formiranje i rast anodnih oksidnih filmova na aluminiju tehničke čistoće te na Al-0.2%Sn i Al-0.1%In slitinama u otopini boratnog pufera (pH 7.8). Ustanovljeno je da se u uvjetima galvanostatske anodizacije rast oksidnih filmova na ispitivanim uzorcima zbiva aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale (mehanizam "aproksimacije visokog polja"). Elektrolitički parametri rasta oksida, konstante A i B, kao i ionska vodljivost kroz oksidni sloj opadaju redom: Al Al-Sn Al-In. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivene vrijednosti reda veličine MV cm-1 opravdavaju primjenu modela "aproksimacije visokog polja" pri opisivanju rasta oksidnih filmova na Al te na Al-Sn i Al-In slitinama u otopini boratnog pufera.
Aluminij ; Al-Sn slitina ; Al-In slitina ; Boratni pufer ; Oksidni film
nije evidentirano
engleski
Influence of Sn and In on the oxide films growth kinetics on aluminum
nije evidentirano
Aluminum ; Al-Sn alloy ; Al-In alloy ; borate buffer ; oxide film
nije evidentirano
Podaci o izdanju
40
23.10.2009.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu
Split