hrvatski

Mehanizam rasta oksidnih filmova na kositru u uvjetima galvanostatske anodizacije

Primjenom potenciodinamičke polarizacijske metode te galvanostatske pulsne metode ispitani su formiranje i rast anodnih oksidnih filmova na kositru u otopini boratnog pufera (pH 7.8) različitih temperatura (25, 35 i 45 oC). U širokom području potencijala (od -0.7 do 1.2 V) kositar se ponaša pasivno te se na njegovoj površini formira stabilni oksidni sloj. Porastom temperature elektrolita područje potencijala u kojem se kositar ponaša pasivno postaje uže. Proces pasivacije kositra započinje nastajanjem Sn(OH)2 ili SnO, dok se stvarno pasivno stanje postiže formiranjem kontinuiranog Sn(OH)4 filma. Pod utjecajem anodne polarizacije dolazi do elektrokemijske pretvorbe hidratiziranog Sn(OH)4 filma u termodinamički stabilniji dehidratizirani oblik, SnO2 ∙ H2O. U uvjetima galvanostaske anodizacije rast oksidnog filma na kositru zbiva se aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale (mehanizam "aproksimacije visokog polja"). Ionska vodljivost kroz film raste s porastom temperature elektrolita. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivene vrijednosti reda veličine MV cm-1 opravdavaju primjenu modela "aproksimacije visokog polja" pri opisivanju rasta oksidnih filmova na kositru u otopini boratnog pufera različitih temperatura. Jakost električnog polja opada s porastom temperature.

Kositar ; Oksidni film ; Galvanostatska anodizacija ; Aproksimacije visokog polja

nije evidentirano