hrvatski

Utjecaj temperature na pasivaciju aluminija

Primjenom galvanostatske pulsne metode ispitani su mehanizam i kinetika rasta oksidnih filmova na aluminiju u otopini boratnog pufera (pH 7.8) različitih temperatura (10, 20 i 30 oC). Ustanovljeno je da se rast oksidnog filma na aluminiju odvija ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale (mehanizam “aproksimacije visokog polja”). Određeni su elektrokinetički parametri rasta oksidnog filma, ionska vodljivost i poluširina barijere, a dobivene vrijednosti opadaju s porastom temperature elektrolita. Nadalje, dobivene vrijednosti električnog polja, reda veličine MV cm-1, opravdavaju primjenu modela “aproksimacije visokog polja” pri opisivanju rasta oksidnih filmova na aluminiju u otopini boratnog pufera različitih temperatura. Jakost električnog polja opada s porastom temperature.

Aluminij ; Oksidni film ; Pasivacija ; Polarizacija ; Elektrokemijske metode

nije evidentirano