hrvatski

30-MHz pojačalo u klasi E sa AlGaN/GaN HFET-om

Pojačala klase E su visokoefikasna pojačala koja koriste tranzistor kao sklopku te prilagodnu mrežu koja oblikuje valne oblike napona i struje s ciljem smanjivanja disipacije na tranzistoru. Na taj način povećavamo ukupnu efikasnost pojačala. Klasa E pojačala je razvijena 1975. godine od strane Nathana O. Sokala. Glavna ideja E klase pojačala je ispravljanje nedostataka D klase pojačala, gdje izlazni kapacitet tranzistora pri višim frekvencijama povećava disipaciju (𝑃𝐷𝐼𝑆=𝐶𝐷𝑆∗𝑈𝐷𝑆2∗𝑓), a samim time smanjuje ukupnu efikasnost pojačala. Cilj ovog diplomskog rada je bio dizajnirati pojačalo izlazne snage 100 W na frekvenciji od 30 MHz korištenjem GaN HFET tranzistora. GaN HFET tranzistori za razliku od silicijskih tranzistora posjeduju puno bolje karakteristike koje nam mogu pomoći pri povećanju efikasnosti. Bitni parametri su: ulazni kapacitet, izlazni kapacitet, dinamički otpor, manje dimenzije tranzistora, cijena. Tranzistor kojeg smo koristili jest GS66508T (GaN-Systems). Pri dizajniranju pojačala poslužili smo se simulacijskim alatima LTspice i ADS. Tiskanu pločicu dizajnirali smo pomoću programskog alata Altium Designer. Nakon mjerenja karakteristika pojačala ustanovili smo kako se podaci nisu podudarali s rezultatima simulacija.

E klasa pojačala, sklopka, GaN HFET tranzistor, prilagodna mreža, LTspice, ADS

Diplomski rad broj 1754