Balističke performanse FET-ova temeljenih na fosforenskim nanovrpcama (CROSBI ID 434386)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Matić, Mislav
Suligoj, Tomislav
Poljak, Mirko
hrvatski
Balističke performanse FET-ova temeljenih na fosforenskim nanovrpcama
U ovom radu opisan je atomistički hamiltonijan i formalizam Greenovih funkcija izvan ekvilibrija za kvantno-transportne simulacije fosforenskih nanovrpci. Implementiran je simulator balističkih karakteristika PNR FET-ova prema modelu vrha barijere. Analizirane su strujno-naponske karakteristike PNR FET-ova u ovisnosti o širini PNR-a te objašnjene dobivene zakonitosti i efekti analizom strukture energijskih vrpci, gustoće stanja i transmisije u PNR-u. Dobiveni rezultati uspoređeni su s zahtjevima IRDS-a za "3 nm" tehnologiju.
kvantni transport ; fosforenske nanovrpce ; PNR FET ; formalizam Greenovih funkcija izvan ekvilibrija ; NEGF ; model jake veze ; model vrha barijere ; Sancho-Rubio metoda
nije evidentirano
engleski
Ballistic performance of FETs based on phosphorene nanoribbons
nije evidentirano
quantum transport ; phosphorene nanoribbons ; PNR FET ; non-equilibrium Green's function ; NEGF ; tight-binding model ; top-of-the-barrier model ; Sancho - Rubio method
nije evidentirano
Podaci o izdanju
50
10.07.2020.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
